三星正在寻找能够为先进HBM设计新架构的封装开发专家。

据报道，三星电子正在加紧招聘经验丰富的高带宽存储器 (HBM) 专家，力争重新夺回半导体行业的领导地位，押注其业绩将在第二季度疲软之后反弹。此次招聘的目标是招募下一代半导体和芯片封装技术领域的经验丰富的工程师，包括混合键合，这一工艺被视为提高人工智能和其他计算应用性能的关键。与之相对应的是，三星电子正在缩减其表现不佳的晶圆代工部门的招聘规模。

三星电子设备解决方案 (DS) 部门计划在其九个主要业务部门中的六个部门招聘经验丰富的专业人才。这六个部门分别是存储芯片业务、晶圆代工、半导体研究中心、全球制造和基础设施、测试和系统封装以及人工智能中心。三星将于8月19日开放下半年招聘申请。

具体来说，三星正在寻找能够为先进HBM设计新架构的封装开发专家，而产品规划人员则负责与对定制HBM感兴趣的客户进行沟通。

三星HBM4预计2026年商业供应

三星存储业务执行副总裁Kim Jae-joon此前在财报会议上表示，三星的HBM4开发工作正在按计划进行，且于2025年下半年实现HBM4的量产，并预计2026年开始商业供应。此外，公司正在与多家客户合作开发基于HBM4和增强型HBM4E的定制版本。

HBM4技术相较于前代产品（如HBM3E）具有更高的性能和能效。HBM4支持高达2TB/s的数据传输速率，比HBM3E快约66%，并提供更高的带宽和容量。此外，三星采用先进的4nm工艺制造HBM4逻辑芯片，并结合10nm工艺生产DRAM，以进一步提升性能和能效。

当前，HBM4的市场需求强劲，被广泛应用于AI、深度学习和高性能计算等领域。未来几年，HBM4市场将持续快速增长，主要受益于AI、高性能计算和大数据等领域的需求推动。摩根士丹利预测，全球HBM市场规模有望从2023年的40亿美元增长至2027年的330亿美元。三星正在逐步淘汰老款HBM2E和DDR4内存芯片的生产，这符合其将资源集中在利润率更高的高端产品的战略。

三星定制HBM4

三星HBM3E及之前的HBM都是采用 DRAM 制程的基础裸片（Base Die），它本质上就是一个简单的连接层，使用的也是 DRAM 的工艺，作为物理连接通道，负责基础的数据传输，几乎没有定制性。而 HBM4 则会将 DRAM Base Die 改成 Logic Base Die，以推动性能和能效进一步提升。这个 Logic Base Die 是连接 AI 芯片内部 GPU 和 DRAM 的必备组件，位于 DRAM 的底部，主要充当 GPU 和内存之间的一种控制器。

正是因为具备自定义的控制器，客户可以集成自己的 IP，不仅能存储，而且能执行更复杂的操作，满足客户的特定需求。

三星开发了新一代定制 HBM4，而其主要客户目前并不是英伟达，而是来自于微软和Meta自行开发的芯片，分别是Maia 100和Artemis。

目前越来越多的科技公司都在加快建设 AI 和数据中心的步伐，对降低芯片采购成本的需求也越来越迫切，他们一方面购买英伟达和 AMD 的芯片，一方面也自己开发芯片。而三星既制造芯片又设计芯片（LSI 部门），自然是这些科技巨头的理想合作伙伴。

业内人士称，三星首款定制化HBM（预计将是HBM4E）很可能在明年下半年推出。三星正在与博通和AMD就供应定制化HBM4进行深入谈判。

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